삼성전자는 미국 캘리포니아주에서 열린 'FMS 2026'에 참가해 HBM5 대비 성능을 최대 8배 높인 차세대 3D 메모리 아키텍처 'zHBM'과 차세대 고성능 낸드 'zNAND-O'을 업계 최초로 선보였다고 5일 밝혔다.
zHBM은 AI 가속기(xPU) 옆에 HBM을 배치하던 방식과 달리 가속기 상단에 HBM을 수직 적층하는 구조다.