[지디넷코리아]무선주파수(RF) 질화갈륨(GaN) 반도체 기업 웨이비스가 장거리 지대공유도무기체계(L-SAM) 다기능레이더(MFR)에 적용되는 RF GaN (HEMT) 칩 국산화 기술 개발을 본격화한다고 15일 밝혔다. RF GaN 반도체는 레이더 송신부에서 높은 출력과 효율, 고전압 동작 특성을 구현하는 핵심 부품이다.