Interface-Free Oxide Thin-Film Transistors: A Paradigm Shift in Quantitative Analysis toward Breaking Performance Limits
개인기초연구(과기정통부)(R&D) · 우수연구-핵심연구(기본연구A)
2026년
2710115049
과학기술정보통신부
한국연구재단
국립한밭대학교
고종범
10명
2026.09.01 ~ 2027.08.31
2026.09.01 ~ 2031.08.31
4,545만원
4,545만원
기초연구
대학
대전광역시 유성구
전기/전자 > 디스플레이 > TFT
본 연구의 최종 목표는 기존 산화물 박막 트랜지스터에서 본질적으로 분리 불가능했던 '절연막/반도체 계면을 물리적으로 제거'한 신개념 구조를 구현하고, 이를 통해 산화물 반도체의 intrinsic 물성을 독립적으로 추출·정량화할 수 있는 해석 패러다임을 확립하는 데 있다. 현재까지의 산화물 반도체 연구는 계면 결함을 최소화하거나 페시베이션하는 방향에 집중되어...
... 접근으로는 달성할 수 없었던 계면 기여분의 독립적 분리 및 정량 해석을 수행한다.1단계에서는 계면 제거 구조 구현을 위한 핵심 기반 기술로서 수용성 무기 희생층을 활용한 계면 제거 플랫폼을 개발한다. 기존 박리 기술은 레이저, 물리적 박리, 화학적 에칭 등 다양한 방법이 존재하나, 소자 손상 없이 계면만 선택적으로 제거하는 것은 불가능하였다. 본 연구에서는 RF sputtering ...
... 산화물 반도체에 국한되지 않고, 다양한 박막 반도체 및 이종접합 구조, 2D 소재 기반 소자, 고유전체/강유전체 계면 연구 등으로 확장 가능하다. 또한 본 연구에서 구축된 정량적 해석 모델과 데이터베이스는 향후 소자 시뮬레이션 및 공정 설계의 기준으로 활용될 수 있으며, 후속 연구 및 산업 응용을 위한 핵심 인프라로 기능할 것이다.결과적으로 본 연구는 “계면 제거 → 물성 분리 → ...