Light-Induced Anti-Ambipolar WSe2 Transistor for Optically Reconfigurable Synapse-Neuron Integrated Neuromorphic Devices
이공학학술연구기반구축(R&D) · 박사과정생연구장려금지원
2026년
2340065739
교육부
한국연구재단
인하대학교
허지훈
1명
2026.09.01 ~ 2027.02.28
2026.09.01 ~ 2028.08.31
1,250만원
1,250만원
응용연구
대학
인천광역시 남구
전기/전자 > 반도체 소자·회로 > 달리 분류되지 않는 반도체 소자·회로
1. 최종 목표: WSe2 트랜지스터의 dark/light 조건에서 나타나는 비선형 전하수송 메커니즘을 규명하고, 시냅스 가소성과 stochastic LIF 뉴런 동작이 통합된 광 재구성형 뉴로모픽 소자를 구현하여 SNN 검증을 통해 단일 소자 기반 뉴로모픽 연산 가능성을 입증하는 것임. 아울러 이를 통해 2차원 반도체의 비선형 소자물리, 시냅스?뉴런 연계...
(1) WSe2 소자의 전달특성 정립 및 synapse mode 물리 확보 (선행 연구 완료)· (WSe2 소자 제작 및 dark/light 기본 전달특성 확보) WSe2 flake 기반 back-gated transistor를 제작하고, 채널 길이/두께/접촉 조건에 따른 전기적 특성을 비교하여 재현성 있는 소자 플랫폼을 확보함. dark 조건에서 on/o...
... 기능을 재구성형으로 구현함으로써, 고집적·저전력 뉴로모픽 하드웨어를 위한 소자 구조 단순화 및 광 반응형 지능형 반도체 응용 가능성을 제시· (연구 역량 및 향후 진로 측면) 본 연구를 통해 2차원 반도체 소자 제작, 비선형 전하수송 해석, 뉴로모픽 동작 검증 및 소자?시스템 연계 모델링 역량을 확보하여 차세대 인공지능 반도체 분야의 독립적 연구자로 성장하고자 함.