Ultra-low-power 2D AI semiconductors through ultra-thin dielectric layer deposition based on molecular-thick polymer seed layers
개인기초연구(과기정통부)(R&D) · 우수연구-신진연구(유형A)
2026년
2710103753
과학기술정보통신부
한국연구재단
전남대학교산학협력단
김동협
1명
2026.03.01 ~ 2027.02.28
2026.03.01 ~ 2029.02.28
9,124만원
9,124만원
응용연구
대학
광주광역시 북구
화공 > 고분자 공정기술 > 고분자 박막/코팅 제조기술
... 적용한 2D FET에서 저전압 (VDD ~ 0.3?0.5 V) 구동, 낮은 서브스레시홀드 스윙, 높은 Ion/Ioff 및 히스테리시스 억제 특성을 가지는 초저전력 트랜지스터 시연, (iv) 나아가, 단일 소자를 넘어 간단한 AI 연산 블록 (인버터, 간이 뉴로모픽/행렬 연산 셀 등) 수준까지 연결 가능한 공정·소자 플랫폼으로 정립하는 것을 궁극적 목표로 한다.
... 조건을 통해 정교한 기능화가 가능한 플랫폼이라는 점에서, 기존의 무기 계면층과 구별되는 중요한 학문적 가치가 있다. 고분자의 화학 구조, 극성, 사슬 유연성, 단분자두께에서의 유리전이 및 체인 배향 등은 2D 반도체와 유전체 사이의 전기, 기계, 열적 상호작용에 직접적인 영향을 준다. 따라서 본 과제는 (i) 단분자두께 고분자 층의 형성·구조·물성을 정량적으로 규명하고, (ii) ...
1) 연구과제의 활용방안 본 연구에서 도출되는 고분자/2D 계면 특성 데이터는 고분자 구조 (분자량, 측쇄, 작용기 종류, 밀도)와 2D 반도체 표면에서의 흡착 거동, 단분자층 두께, 표면 에너지, 물리적 흡착 (physisorption) 메커니즘을 정량적으로 연결한 설계 지침으로 정리할 수 있다. 특히 고분자 씨앗층과 ALD 유전체 공정 조건에 따른 핵 ...