Development of Ultra-Low-Power, High-Performance Ferroelectric Field-Effect Transistors Based on Single-Crystalline Halide Perovskite CsGeX3 for Reservoir Computing
개인기초연구(과기정통부)(R&D) · 우수연구-핵심연구(유형A)
2026년
2710113058
과학기술정보통신부
한국연구재단
한양대학교산학협력단
박진섭
7명
2026.09.01 ~ 2027.08.31
2025.09.01 ~ 2028.08.31
6,409만원
6,409만원
기초연구
대학
서울특별시 성동구
재료 > 국방소재 > 전자재료/소자
본 연구팀의 최종 연구개발 목표는 Reservoir computing 응용을 위한 할라이드 페로브스카이트 CsGeX3 단결정(Single Crystal) 성장 기반의 고성능 초저전력 FeFET 소자를 개발하고자 함. 기존 하프니아 기반 FeFET을 대체하기 위한, 고성능 메모리 동작 및 낮은 보자력전압(1.5V) 확보를 통한 저전력 동작전압이 가능한 HP ...
[1차년도 연구과제의 내용]- 본 연구팀이 보유한 Vapor-phase epitaxy 성장 공정 및 용액 기반의 HP 단결정 형성 방법을 활용하여 1차년도에 CsGeX3의 X 물질 (Br, I, Cl) 중 강유전체 층으로 사용할 후보군의 단결정 형성 공정을 확립하고, 구조적 전기적 분석을 통해 고품질의 단결정을 형성함.- 제조된 단결정 CsGeX3의 기초 ...
... 기술의 한계를 극복할 수 있는 차세대 고성능·초저전력 메모리 솔루션으로 기대됨. 특히, 본 소자는 저전압 구동과 높은 On/off ratio 특성을 바탕으로, 에지 디바이스 기반의 인공지능 연산 뉴로모픽 시스템에 최적화된 기술로 활용 가능함. 또한, 단결정 CsGeX₃의 우수한 강유전성과 스위칭 안정성을 통해, 향후 고신뢰성 비휘발성 메모리 개발에도 적용될 수 있어 SCM 및 CXL ...