Developement of Gate driver ICs for Monolithic GaN Intelligent Power Modules and SiC Heterogeneous Chiplets
개인기초연구(과기정통부)(R&D) · 우수연구-핵심연구(전략형)
2026년
2710111983
과학기술정보통신부
한국연구재단
포항공과대학교
신세운
18명
2026.09.01 ~ 2027.08.31
2025.09.01 ~ 2028.08.31
1.9억원
1.9억원
기초연구
대학
경상북도 포항시
에너지/자원 > 전력시스템 > 전력전자기술
● 본 연구는 GaN 및 SiC 전력반도체 특화 게이트 구동 기법과 게이트 구동 IC를 각각 개발하고, 해당 GD IC를 전력소자와 함께 집적/고밀화하여 다양한 전력변환 환경이 존재하는 산업에 손쉽게 적용할 수 있는 폐루프(closed-loop) 전력반도체 모듈 개발을 최종목표로 함.● 전기적/물리화학적 특성이 다른 각각의 화합물 전력반도체에 최적화된 구동...
● 본 연구 개발의 개요▷ 게이트 구동회로의 기본적인 구조 및 요구사항의 공통적 특징에 따라 하나의 연구과제로 산정함과 동시에 GaN 전력반도체와 SiC 전력반도체가 점유하는 시장, 요구사양과 응용처가 다른 것을 인지하고 GaN과 SiC 연구 그룹의 분화(2-트랙 전략)를 통해 각각에 대한 최적의 게이트 구동 요소기술, 화합물 전력반도체 모듈을 개발하는 것...
... 시스템으로의 자유로운 확장이 가능함.● 회로-모듈-시스템 전체를 아우르는 전력전자 통합 기술 플랫폼을 구축▷ AI 기반의 디지털 회로 설계 최적화 기법을 통해 GaN-only 라이브러리 설계 ... 소형/고주파 응용처에 활용할 수 있음.▷ 고속/고효율 전력변환이 가능한 모듈 기술은 AI 데이터센터·EV 충전 인프라·스마트 그리드·자율주행 센서 전원 등 고부가가치 산업 전반으로 확장될 ...