High-k Perovskite Oxide Integration for Wafer-scale 2D Material-Based Monolithic 3D Non-von Neumann Systems
이공학학술연구기반구축(R&D) · 기본연구B(포용형)
2026년
2340063778
교육부
한국연구재단
서울대학교
진민호
1명
2026.09.01 ~ 2027.02.28
2026.09.01 ~ 2029.08.31
3,000만원
3,000만원
기초연구
대학
서울특별시 관악구
전기/전자 > 반도체 소자·회로 > 반도체 재료
본 연구과제에서는'웨이퍼 규모의 2D 소재 기반 단일체 3D 비 폰 노이만 시스템을 위한 고유전율 페로브스카이트 산화물 집적'을 목표로 진행할 계획이며, 세부 사항으로 (1) 2D 반도체/페로브스카이트 유전체 물질 이종 접합 공정 진행, (2) 다층으로 구성된 트랜지스터의 집적 및 동작 확인, 그리고 (3) 비 폰 노이만 M3D 시스템의 컴퓨팅 성능 검증으...
... 프로그래밍하고, M3D에서 입력 전압과 시냅스 전도도의 곱?합 연산을 하드웨어 수준에서 구현한다. 이때, FeFET의 memory window, 전도도 선형성, endurance 등 소자 특성 데이터를 기반으로 convolutional neural network (CNN) 기반 본 연구자가 제작한 데이터셋 (500개의 이미지)에 대한 인퍼런스 정확도를 평가하고, 이상적 소자 대비 정확도 ...
... 위에 단결정 high-k 유전체를 저온 집적할 수 있는 범용 공정 기술로서, M3D 구조뿐 아니라 차세대 메모리, 뉴로모픽 소자, 유연 전자소자 등 고유전율 박막이 요구되는 다양한 플랫폼에 적용 가능하다.■ 또한, bottom-up M3D 공정 기술은 기존 Si 기반 TSV 공정을 대체하는 차세대 반도체 패키징 및 이종 집적 분야로의 기술 이전이 가능하며, FeFET 기반 ...