Ultra-thin dielectric films with a permitivity of over 100 and integration for 3D DRAM capacitor
민관공동투자반도체고급인력양성 · 민관공동투자반도체고급인력양성(R&D)
2026년
2410016664
산업통상부
한국산업기술기획평가원
한양대학교 에리카캠퍼스
안지훈
14명
2026.01.01 ~ 2026.12.31
2025.04.01 ~ 2029.12.31
1.5억원
1.8억원
응용연구
대학
경기도 안산시
전기/전자 > 반도체 소자·회로 > 반도체 재료
[최종목표]ㅇ 유전율 100 이상의 초극박막 (5 nm 이하) 소재 및 3D DRAM 향 커패시터 집적 공정 개발 ① ALD 기반 TiO2 또는 2차원 층상구조 유전체 두께 및 조성 제어 기술 개발 ② 격자 정합성을 고려한 4종 이상의 기능성 전극 및 dangling-free 계면층 도입 및 최적화③ 극박막 영역에서 고품위 결정화를 위한 고등 ALD 공정 ...
[1단계-1차년도 개발내용]ㅇ ABO구조의 2D layered high-k 소재의 ALD 공정 개발- 2D layered 유전체 증착을 위한 전구체 탐색 및 ALD 공정 셋업- Super-cycle 구성에 따른 ABO 박막 조성 제어 및 동역학적 해석- 2D 조성 부군에서의 물성, 결정성 및 조건 별 기본적인 전기적 특성 data 확보ㅇ TiO2 기반 hi...
... 소자와 비교하여 속도, 용량, 에너지 효율 등에서 획기적인 개선이 이뤄져 고성능이면서도 저전력의 초미세 메모리 반도체 소자 및 AI 칩에 적용될 것으로 기대되며, 이를 통해 컴퓨터, 통신, 인공지능 분야의 발전을 촉진할 것으로 예상됨. 또한, 이러한 첨단 소재 개발과 새로운 물리 현상의 이해는 국내 반도체 소자 공정 기술의 핵심 기반 기술로 활용될 것으로 판단됨.o [경제적?사회적 측면] ...