Self-rectifying vertical floating-gate memristor for neuromorphic system
개인기초연구(과기정통부)(R&D) · 우수연구-핵심연구(기본연구A)
2026년
2710114157
과학기술정보통신부
한국연구재단
성균관대학교산학협력단
유우종
20명
2026.09.01 ~ 2027.08.31
2026.09.01 ~ 2027.08.31
4,526만원
4,526만원
기초연구
대학
경기도 수원시
전기/전자 > 반도체 소자·회로 > 달리 분류되지 않는 반도체 소자·회로
ㅇ 자가정류형 수직 플로팅게이트 멤리스터(V-FGMEM) 기반 고집적 뉴로모픽 시스템 개발- 기존 수평 구조의 한계를 극복한 수직 적층형 플로팅게이트 구조를 도입하여 소자 집적도와 전력 효율을 극대화함. 소자 자체에 정류 기능을 통합함으로써 별도의 선택 소자 없이 크로스바 어레이 집적이 가능한 자가정류형 V-FGMEM을 개발하고, 이를 16x16 어레이로 ...
ㅇ 세부요소기술 1. 고선형성·고집적 V-FGMEM 소자 기술 개발- 자가정류형 수직 플로팅게이트 멤리스터 제작(전사/증착 공정을 통한 터널링절연막/플로팅게이트/블로킹절연막/수직 채널 구조 형성)- 수직 전계 인가를 통한 충·방전 균일도 개선 및 시냅스 가중치 업데이트 선형성 향상- 소자 집적도 향(~ μm^2 -> ~ nm^2) 및 구동 전압 효율화- ...
... 정밀한 패턴 인식과 전처리를 가능하게 하여 시스템 구축 비용을 크게 낮출 수 있으며, 글로벌 테크 기업이 주도하는 지능형 반도체 시장에서 기술적 자립도를 높이고 새로운 시장 진입 장벽을 구축하는 데 기여할 것으로 기대됨. ㅇ 개발된 기술은 향후 지능형 감시 카메라, 자율주행 센서, 모바일 엣지 컴퓨팅 등 실시간 인지 능력이 요구되는 인공지능 산업 전반에 공급되어 ...