Development of ultralow-power, 2 nanometer-scale vertical channel transistor and all-vertical integrated circuits based on self-assembled molecules
개인기초연구(과기정통부)(R&D) · 우수연구-핵심연구(유형B)
2026년
2710113609
과학기술정보통신부
한국연구재단
단국대학교산학협력단
최준환
5명
2026.09.01 ~ 2027.08.31
2024.09.01 ~ 2027.08.31
1.8억원
1.8억원
기초연구
대학
경기도 용인시
화공 > 나노 화학공정기술 > 나노소재 가공기술
최종목표: 자가 조립 단층을 이용한 2 나노미터급 초미세 수직 채널 트랜지스터 및 3차원 집적 회로 개발세부목표 1. Bottom-up 방식의 분자 채널 공정 및 초미세 수직 채널 트랜지스터 개발- 본 연구의 핵심 목표는 (1) bottom-up 방식의 분자 조립을 통해 수직 채널을 형성, 초미세 채널을 구현하고, (2) 자가 조립을 기반으로 원하는 위치에...
... 장점을 이용하여, 높은 기계적 변형에도 성능이 변화하지 않는 유연/신축성 전자소자로의 응용 가능성을 탐색함 (변형률 > 30%, 소자 성능 변화 40%).- 집적회로 응용을 위한 기초 데이터를 확보하고, 복잡한 논리회로 모델링에 활용함.3차년도 연구내용(1) 3차원 수직 집적화를 위한 절연막 패터닝 및 전극 배선 기술 개발- 하부 소재와 소자에 영향을 최소화하기 위해 기상 증착 ...
... 최적화를 위한 시뮬레이션, 소자 제작 공정 확립, 소자의 저전력 구동을 위한 절연 소재 개발, bottom-up 방식의 3차원 수직 집적화 공정 등을 포함한 포괄적·산업 지향적 신기술 플랫폼을 제공함.- 값비싼 장비와 공정 기술 없이도 수 나노미터급 채널 길이를 갖는 트랜지스터를 제작하고, 소자 제작을 위한 요소 기술의 대면적 공정 기술을 개발하여 우수한 성능 균일도와 신뢰성을 확보함.- ...