전층 에피택셜 질화물 전자소자를 위한 금속-반도체 접촉 특성 규명 및 GaN BJT 기반 소자 검증

연구목표

... 에피택셜 금속-반도체 접촉의 형성 원리와 전기적 특성을 규명하고, 이를 GaN BJT 기반 능동소자에 적용하여 소자 수준의 유효성을 검증하는 것이다.이를 위해 GaN을 대표 질화물 반도체 플랫폼으로 설정하고, TiN, VN, NbN 등 금속성 전이금속 질화물 전극을 GaN 상에 에피택셜하게 형성하여 접촉 저항, 장벽 형성, 전하 수송, 일함수-장벽 높이 상관관계, 페르미 준위 고정 ...