Polarization Modulation in Vertical Heterostructures of 2D Janus Polar Semiconductors for Ultrathin High-Speed HEMT devices
개인기초연구(과기정통부)(R&D) · 우수연구-핵심연구(기본연구B)
2026년
2710111674
과학기술정보통신부
한국연구재단
울산대학교
윤석준
6명
2026.09.01 ~ 2027.08.31
2026.09.01 ~ 2027.08.31
6,348만원
6,348만원
기초연구
대학
울산광역시 남구
물리학 > 응집물질물리 > 반도체
[연구 필요성]- III-Nitride HEMT는 분극유도 2DEG 채널을 통해 고이동도·고전류구동력을 구현해 온 대표적 고속 전자소자이나, 3차원 에피택셜 이종접합 구조에 따른 격자 부정합·wafer bowing·CMOS 비호환 한계로 인해 양산 게이트 길이가 100~150 nm 수준에 머물러 미세화·고집적화에 제약이 있음. - 따라서 분극유도 2DEG ...
연구개발내용은 크게 4가지로 나뉨.[1. 고품질 야누스 MoSSe 단층 합성 및 분극 특성 검증]- 육방정계 MoS2(또는 MoSe2) 단층의 상부 칼코겐만을 선택적으로 치환하여 S?Mo?Se 비대칭 야누스 단층을 합성함. - 수소 플라즈마 기반 표면 칼코겐 탈착 후 Se(또는 S) 전구체 공급을 통한 상부 면 재구성 공정과, 고온 칼코겐 분위기 열처리 기...
... 다양한 야누스 TMD 소자 설계의 표준 데이터로 활용 가능함.[기대효과]- 과학기술적으로는 III-Nitride 3차원 에피택셜 이종접합에 한정되어 온 분극공학의 적용 영역을 vdW 2D 시스템으로 확장하고, twist angle 위주로 진행되어 온 vdW 이종구조 연구에 \"수직 분극 방향\" 이라는 새로운 설계 자유도를 도입함.- 산업적으로는 100~200 cm^2/Vs 수준에서 ...