Development of a two-terminal selector-based threshold switching memory device and elucidation of its operating mechanism
민관공동투자반도체고급인력양성 · 민관공동투자반도체고급인력양성(R&D)
2026년
2410017463
산업통상부
한국산업기술기획평가원
서울과학기술대학교산학협력단
최병준
5명
2026.01.01 ~ 2026.12.31
2024.04.01 ~ 2026.12.31
1.5억원
1.8억원
응용연구
대학
서울특별시 노원구
전기/전자 > 반도체 소자·회로 > 반도체 재료
2단자 임계 스위칭 메모리 소자를 위한 PVD/ALD 공정을 개발하고, 임계 스위칭의 메모리 현상에 대한 동작 메커니즘을 이해하여 메모리 동작 신뢰성을 개선 시키고자 함[1차년도 목표]ㅇChalcogenide 기반 TSM소자를 위한 PVD/ALD 박막 공정 개발ㅇ신물성 신소재 TSM 구현 시스템 탐색 및 PVD 증착 공정 개발 ㅇChalcogenide 기반...
[1차년도 개발내용]ㅇChalcogenide 기반 TSM소자를 위한 박막 공정 개발 - ALD/PVD를 이용한 selenide/telluride 박막 증착 조건에 따른 박막 물성 관계 연구 - 박막 조성에 따른 TSM소자 동작 파라미터의 상관관계 분석ㅇChalcogenide 기반 TSM소자 메커니즘 규명 및 어레이 제작 - Operando 열 이미징 분석을...
ㅇChalcogenide 기반 임계 스위칭 메모리 소자는 기존 PRAM과 OTS 소자 구조에 비해 3차원 고집적 메모리 소자 구현에 유리하므로, 차세대 SCM 개발이나 인공지능 응용을 위한 PIM 기술 구현에 적용할 있음ㅇOperando 열 이미징 분석, EFM 분석, 방사광 가속기를 이용한 분광 분석을 통해 동작 환경에서 휘발성을 갖는 메모리 소자의 온도 변화에 ...