Development of cell high-reliability technology and device-circuit integration testbed platform for 3D NAND flash memory
민관공동투자반도체고급인력양성 · 민관공동투자반도체고급인력양성(R&D)
2026년
2410017045
산업통상부
한국산업기술기획평가원
서울과학기술대학교산학협력단
박종경
5명
2026.01.01 ~ 2026.12.31
2024.04.01 ~ 2026.12.31
1.5억원
1.9억원
개발연구
대학
서울특별시 노원구
전기/전자 > 반도체 소자·회로 > Si 소자
고신뢰성 3D NAND 플래쉬 메모리 개발을 위한 셀 특성 평가, 신뢰성 개선, 소자-회로 통합 테스트 베드 플랫폼 개발 및 반도체 분야 석·박사급 고급 인력 양성
[1차년도 개발 내용]ㅇ TCAD 시뮬레이션을 이용하여 머신러닝용 셀 공정-전기적 특성 데이터세트 구축ㅇ Z-interference 및 WL RC Loading 특성 반영 분포 열화 모델 개발ㅇ 3D 셀 공정 산포에 따른 Vt 산포 변동 예측을 위한 뉴럴 네트워크 구축ㅇ 3D 수직 적층형 소자 제작 및 채널 Super Grain Sili...
... 예정임.o 이러한 핵심 요소 기술과 테스트베드 플랫폼을 활용하여 개발될 3D NAND 플래쉬 제품은 지속적인 단수 증가를 통해 더 높은 bit density를 실현하여, 자율주행차, 인공지능, 사물인터넷, 5G 등과 같은 대용량 데이터를 다루는 기술들에 활용될 것으로 기대됨.[연구개발성과 기대효과]o 기술적 측면 - 향후 지속적인 단수 증가 및 셀 스케일링에 의한 3D NAND의 Vt 산포 열화 ...