Development of 6-inch Gallium Oxide Substrates and Epitaxial Wafers for 3.3 kV-Class Power Devices
소재부품기술개발(R&D) · 패키지형
2026년
2410018697
산업통상부
한국산업기술기획평가원
(주)테스
최성철
3명
2026.04.01 ~ 2026.12.31
2026.04.01 ~ 2030.12.31
2,000만원
2,860만원
개발연구
중견기업
경기도 용인시
전기/전자 > 반도체 소자·회로 > 반도체 재료
... 파이프라인 구축 및 초기 성능 확보 - 리액터 구조 모델링 및 기초 열·유체 시뮬레이션과 기초 성장데이터 구축 - Ga2O3 SBD(쇼트키 배리어 다이오드) 전기적 특성 평가 체계 구축[2차년도 목표]ㅇ ... 오버랩/HZO 두께 설계 최적화 및 재현성 확보 - 대구경 장비 정밀 플로우 시뮬레이션 및 가상공학플랫폼 성장 거동 모델 고도화 - 반응기 열·유동 최적화 및 Si·Cl 불순물 저감 기술 확립 - ...
[1차년도 개발내용]ㅇ (세부1) 주관연구개발기관 테스 - 4인치 플랫폼 기준의 열장 설계 - 4인치 산화갈륨 단결정 성장을 위한 VB 성장 조건 설계 및 운전 조건 확립 - Pt-Rh ... - 제공 에피 샘플을 사용한 소자 제작·평가 및 BV=1.7 kV 실증 - 실제 에피 성장 데이터와 가상공학 시뮬레이션 데이터의 비교 분석을 통한 모델 검증 및 플랫폼 데이터 연계 구축 - ...
- 해외 의존 산화갈륨 단결정, 기판 및 에피 기술 내재화를 통해 산화갈륨 산업 가치사슬 형성 - 차세대 전력반도체 경쟁력 확보를 통해 국가경제성장에 기여하며 다양한 파생 산업의 고용창출