Development of inhibitor-free selective area deposition technology through high efficiency/high functionality of ICP
민관공동투자반도체고급인력양성 · 민관공동투자반도체고급인력양성(R&D)
2026년
2410016134
산업통상부
한국산업기술기획평가원
한양대학교산학협력단
정진욱
22명
2026.01.01 ~ 2026.12.31
2025.04.01 ~ 2029.12.31
1.5억원
1.9억원
응용연구
대학
서울특별시 성동구
전기/전자 > 반도체장비 > 증착장비
ICP고효율화/고기능화를 통한 inhibitor-free 선택영역 증착기술 개발
- In-situ inhibitor-free ASD 공정 개발- 고효율/고기능화 ICP 소스 개발- 실시간 플라즈마 광-전기 모니터링 시스템 개발- Metal/High-k 유전체 ALE 기술 개발- 소자 제작/평가 (1) DRAM cap: AS-ALD high-k on Ru/TiN vs SiN- 소자 제작/평가 (2) 3D NAND : AS-ALD SiO2...
... 반도체 산업의 초격차 경쟁력을 유지하며, 새로운 소재 및 공정 기술을 기반으로 해외 시장 진출 가능성을 확대할 수 있음.4차 산업혁명의 핵심 기술인 AI, IoT, 자율주행, 빅데이터, 클라우드 컴퓨팅 등은 고성능 반도체 소자의 지속적인 개발을 요구하며, 이에 따라 반도체 제조 기술의 고도화가 필수적임. 본 연구에서 개발하는 플라즈마 기반 AS-ALD/ALE 기술은 반도체 제조 ...