Advanced and High-Frequency Extended circuit Design of InGaP/GaAs HBT Power Amplifiers for Next-Generation 6G Mobile Devices : Worlds First and Best-in-Class Implementation at 14.815.35GHz
이공학학술연구기반구축(R&D) · 박사과정생연구장려금지원
2026년
2340053182
교육부
한국연구재단
한양대학교에리카산학협력단
배수지
1명
2026.03.01 ~ 2026.08.31
2025.09.01 ~ 2026.08.31
1,250만원
1,250만원
기초연구
대학
경기도 안산시
정보/통신 > 정보통신 모듈/부품 > 이동통신 모듈/부품
본 연구의 최종 목표는 “14.8-15.35GHz 대역에서 동작 가능한 세계최초의 InGaP/GaAs HBT기반 전력증폭기 설계 및 검증”을 통해 전력증폭기 설계 기술 개발 및 IP를 확보하는 것임.
1단계 (25.9.01~26.2.28)▶ InGaP/GaAs HBT 공정을 이용한 전력증폭기 설계를 위해 10, 12, 15 GHz대역에서 Transistor size 설정▶ 기존 7-9GHz에서 검증된 Adaptive cross-capacitor기법을 적용, emitter inductance로 인한 저출력 문제개선2단계 (26.3.01~26.8.31)▶ ...
■ 본 연구의 가장 핵심 연구성과물인 14.8-15.35GHz대역 InGaP/GaAs HBT기반 전력증폭기 설계 기술은 국내 기술로서 6G(모든 사물인터넷, 자율주행, VR, AR, MR, 위성통신, 스마트폰 등)용 단말부품에 최초로 탑재된다면, 6G 통신부품의 국내 자립화 및 세계 차세대 무선통신 단말 부품 시장을 선도할 수 있을 것으로 기대함.■ 학문/기술적 ...