Development of Ferroelectric Memcapacitor Crossbar Array based on Si NAND Flash Array
이공학학술연구기반구축(R&D) · 석사과정생연구장려금지원
2026년
2340052734
교육부
한국연구재단
한양대학교
황휘호
1명
2026.03.01 ~ 2026.08.31
2025.09.01 ~ 2026.08.31
600만원
600만원
기초연구
대학
서울특별시 성동구
전기/전자 > 반도체 소자·회로 > Si 소자
[연구개발과제의 최종 목표]낸드 플래시 구조를 기반으로 하는 다결정 실리콘 채널을 활용한 강유전체 멤커패시터 크로스바 어레이를 제작하고 이를 인-메모리 컴퓨팅 및 인공지능 반도체로 응용하는 기술을 개발하는 것을 최종 목표로 함.[1단계 (2025.09~2026.02) 연구 목표]강유전체 멤커패시터 크로스바 어레이의 핵심 공정 기술을 개발하고 이를 제작함.[...
[연구 개발 내용] 본 연구개발과제는 2단계로 구성되며, [1단계]에서는 “강유전체 멤커패시터 크로스바 어레이 제작 및 개발”, [2단계]에서는 “제작한 어레이를 기반으로 하는 하드웨어 인공 신경망 구현 및 뉴로모픽 컴퓨팅 기술 개발“을 목표로 함.□ [1단계 (2025.09~2026.02)] 강유전체 멤커패시터 크로스바 어레이 개발 - HfZrO 기반의 ...
□ 인공지능 및 사물인터넷 기술의 발전으로, 데이터 처리량이 급증하며, 실시간 고속 연산에 대한 요구가 높아지고 있음. 이에 따라 메모리 내에서 인공신경망의 연산을 구현하고, 저전력·고속 연산이 가능한 뉴로모픽 컴퓨팅 기술이 대안으로 주목받고 있음.□ 본 연구개발과제의 최종 목표인 강유전체 멤커패시터 크로스바 어레이는 병렬 아날로그 연산이 가능한 비휘발성 메모리 ...