Physics-Based Reliability Modeling of Semiconductor Devices under X-ray Irradiation and Its Impact on Memory Circuits
개인기초연구(과기정통부)(R&D) · 우수연구-핵심연구(기본연구A)
2026년
2710115095
과학기술정보통신부
한국연구재단
한양대학교
권대웅
5명
2026.09.01 ~ 2027.08.31
2026.09.01 ~ 2031.08.31
4,467만원
4,467만원
기초연구
대학
서울특별시 성동구
전기/전자 > 반도체 소자·회로 > Si 소자
... 검출·분석하고, 그 결과를 바탕으로 소자?회로?시스템을 연계하는 물리 기반 신뢰성 평가 및 모델링 플랫폼을 구축하는 데 있다. 이를 위해 X-ray 조사에 의해 유도되는 전자-정공 쌍 생성, 산화막 ... 메커니즘을 규명하고자 한다. 또한 X-ray 조사 조건에 따른 열화 개시 조건과 임계 기준을 데이터베이스화하고, 통계적 특성 분석을 통해 허용 조사 범위와 안전 동작 영역을 정립한다. 최종적으로는 ...
... noise(LFN), Charge Pumping, Conductance Method 기반 측정 플랫폼을 구축한다. 이를 통해 박막 트랩, 산화막/Si 계면 트랩, 채널 관련 결함의 기여도를 분리·정량화하고, ... 잡음 및 계면 특성 변화를 체계적으로 분석한다. 아울러 측정 바이어스 조건, 주파수 범위, 데이터 해석 절차를 표준화하여 반복 측정이 가능한 정량 분석 체계를 확립한다.3차년도에는 X-ray ...
... 반도체 시스템 구현을 가능하게 하여 AI, 서버, 자동차, 국방, 우주·항공 등 고신뢰 전자 시스템이 요구되는 분야의 기술 경쟁력 확보에 기여할 수 있다. 나아가 본 연구에서 구축되는 데이터베이스와 예측 플랫폼은 향후 X-ray뿐 아니라 다양한 방사선·검사 환경에 대한 확장 연구의 기반으로도 활용될 수 있어, 장기적으로 반도체 검사 및 신뢰성 평가 분야의 표준화와 고도화에 ...