High-Performance N-Type Ionic/Electronic Semiconductors for Flexible Complementary Logics
개인기초연구(과기정통부)(R&D) · 우수연구-핵심연구(유형A)
2026년
2710115140
과학기술정보통신부
한국연구재단
인하대학교
이근형
3명
2026.09.01 ~ 2027.08.31
2025.09.01 ~ 2027.08.31
6,449만원
6,449만원
기초연구
대학
인천광역시 남구
화공 > 나노 화학공정기술 > 나노복합재 제조기술
본 연구에서는 이온·전하 상호작용, 반도체 전자밀도 제어, 이온 도핑에 따른 소재 물성/결정구조 엔지니어링 기술을 기반으로 1 V 이하 저전압 범위에서 ON/OFF 전류비가 100,000, μC*가 100 F/cmVs 이상이며, 5,000회 사이클 이후 ON/OFF 전류비를 90% 이상 유지하는 고성능 n형 하이브리드 반도체를 개발하고, 유연한 기판에 상보...
1차년도: 전자-이온 커플링 제어를 통한 고성능 n형 이오닉/일렉트로닉 반도체 개발-n형 하이브리드 반도체 소재 및 단일 트랜지스터 소자 단위에서 이온·전하 커플링 및 전하 밀도, 이온 도핑 제어 기반의 체계적인 소재 물성 분석을 통해, 최대 전도도 및 신뢰성 있는 구동, 최고 수준의 μC* 성능 지수 100 F/cmVs을 만족하는 단위 소자 구현2차년도:...
... 원천기술을 확보할 수 있을 것으로 예상됨. 개발 기술을 고성능 p형 하이브리드 반도체와 접목하여 고차원 상보 논리회로를 개발하여 정보처리의 효율성과 집적도의 향상을 이룰 수 있고 궁극적으로 사물 인터넷, 웨어러블 일렉트로닉스 등 관련 분야의 과학기술 발전에 기여할 수 있을 것으로 기대됨.-경제·산업적 측면: 하이브리드 반도체를 이용한 상보회로 개발을 통해 인공시냅스, 사물 인터넷, 인공지능 등의 ...