Development of high speed/low power/high reliability 2-terminal field-free SOT-MRAM
민관공동투자반도체고급인력양성 · 민관공동투자반도체고급인력양성(R&D)
2026년
2410018270
산업통상부
한국산업기술기획평가원
한양대학교산학협력단
박재근
10명
2026.01.01 ~ 2026.12.31
2023.04.01 ~ 2027.12.31
1.5억원
1.6억원
기초연구
대학
서울특별시 성동구
전기/전자 > 반도체 소자·회로 > Si 소자
[최종목표]ㅇ 초저전력(1pJ/bit), 초고속(10ns), 고신뢰성(retention: 10-year, write/erase cycle: 1011 cycle): 3단자 field free SOT-MRAM 메모리 및 2단자 field free SOT-MRAM 메모리 원천 기술 개발 및 IP 확보o 1단계 1차년도- 3단자 field free SOT-MRAM...
[2단계 1차년도 개발내용]ㅇ 3단자 및 2단자 field free SOT-MRAM 메모리 전기적 특성 및 신뢰성 연구 - p-MTJ spin-valve의 고 thermal stability Δ>68 확보 - p-MTJ spin-valve의 TMR 95% 이상 확보 - channel size: 30 um x 5 um 이하 - switching voltage...
... 활용될 수 있으며 국내의 안면인식, 보이스인식 등 AI 분야에 성능을 획기적으로 향상시켜 국내 AI 분야 성장시키는데 기여.ㅇ 3단자 및 2단자 field free SOT-MRAM 반도체 연구개발을 통한 핵심 전문 고급 인력 양성 [인프라 측면]ㅇ 3단자 및 2단자 field free SOT-MRAM 개발을 통한 차세대 AI/빅데이터 향 인프라 기술 확대