Elucidation of Superior Electromigration Resistance Mechanisms in GB-free Twinned Cu Interconnects for High-Density Semiconductor
이공학학술연구기반구축(R&D) · 기본연구B(포용형)
2026년
2340064164
교육부
한국연구재단
성균관대학교
정민형
1명
2026.09.01 ~ 2027.02.28
2026.09.01 ~ 2029.08.31
3,000만원
3,000만원
기초연구
대학
서울특별시 종로구
재료 > 분석/물성 평가기술 > 재료구조/조직 분석기술
첨단 패키징 소자 및 제품에서 실제 구동 환경을 모사한 열충격 및 전기적 스트레스 조건 하에 발생하는 결함 생성·성장, 미세구조 변화, 변형 및 전기적 열화를 실시간·실환경으로 추적·정량 분석할 수 있는 분석기술을 개발하고, 이를 통해 소자 손상의 근본 원인을 원자구조 수준에서 규명하여 첨단 패키징 신뢰성 향상을 위한 평가·해석 기반을 구축하는 것을 최종목...
1차년도첨단 패키징 Cu direct bonding 구조의 분석 플랫폼 구축 및 초기 손상 3D 정량화그림 4에 첨부된 첨단 패키징 소자 내 Cu direct bonding 구조의 전자이동 ... polycrystalline Cu와 GB-free twinned Cu 구조 비교를 위한 baseline 데이터셋을 구축한다.2차년도 Polycrystalline Cu direct bonding 구조의 EM ...
... situ TEM, 4D-STEM, EELS를 융합한 실시간·실환경 분석 체계를 구축함으로써, 첨단 반도체 소자의 구조 변화와 Cu migration을 메커니즘 수준에서 해석 가능한 분석 플랫폼을 확보한다. 이는 차세대 인터커넥트 구조 설계뿐 아니라, 반도체 소자 신뢰성 전반에 적용 가능한 범용적 분석 기술로서 가치를 갖는다.향후 계획: 본 연구를 통해 연구자는 5D-STEM 기반 ...