Development of high-precision state-controllable multilevel sub-5nm FTJ devices for high-density in-memory computing
개인기초연구(과기정통부)(R&D) · 우수연구-핵심연구(유형A)
2026년
2710112042
과학기술정보통신부
한국연구재단
한국공학대학교 산학협력단
안승언
10명
2026.09.01 ~ 2027.08.31
2025.09.01 ~ 2028.08.31
6,250만원
6,250만원
기초연구
대학
경기도 시흥시
전기/전자 > 반도체 소자·회로 > Si 소자
본 연구는 고정밀 고집적 인메모리 컴퓨팅 응용을 위해 CMOS 공정에 적합한 고신뢰성 HfO2 강유전체 기반의 state conversion favorable sub-5nm FTJ 소자를 개발 및 스위칭 모델을 정립하고 동작 특성 확보를 최종 목표로 한다.
1. sub-5 nm HfZrO2 FTJ 소자의 고신뢰성 및 우수한 분극 특성을 위한 결정성 고도화 요소공정 기술 개발 2. 어레이의 고효율 구동에 필수적인 IPP 스킴 시퀀스 최적화 및 26 이상 multi-level 특성 확보 3. FTJ 소자 구조 및 공정 최적화 4. State conversion favorable FTJ 달성을 위해 중간 상태에...
... 인해 고신뢰성 자가정류 메모리 소자 기반의 수준 높은 인메모리 컴퓨팅이 가능해짐.● 폰 노이먼 구조의 컴퓨팅 시스템 환경을 벗어나 인메모리 컴퓨팅 시스템으로의 전환으로 인해 인공지능, 빅데이터, ioT 기술 기반의 다양한 기술들이 창출 될 것임. ● 초고속 스토리지 클래스 메모리 (SCM), 자가정류 메모리 소자를 적용한 초저전력 메모리 연산 방식을 통해 물리적 공간 및 에너지 소비 ...