Fundamental Study on Radiation Hardness and Recovery Characteristics of Ultra-Wide Bandgap Ga2O3 High-Reliability Devices and Hydrogen Sensors in Harsh Environments
이공학학술연구기반구축(R&D) · 기본연구B(포용형)
2026년
2340063777
교육부
한국연구재단
연세대학교
배희선
1명
2026.09.01 ~ 2027.02.28
2026.09.01 ~ 2029.08.31
3,000만원
3,000만원
기초연구
대학
서울특별시 서대문구
물리학 > 응집물질물리 > 반도체
본 연구의 최종 목표는 차세대 초광대역 밴드갭 (UWBG: Ultra Wide Band Gap) 반도체인 산화갈륨 기반 고신뢰성 소자 (SBD: Schottky Barrior Device/FET: Field Effect Transisotr) 및 수소 센서의 계면 제어 공정을 최적화하고, 실험실 수준의 극한 환경 (UV/Electron/X-ray) 노출 시...
1. 고신뢰성 공정 플랫폼 구축 및 계면 최적화- 접합 공정 최적화: 산화갈륨 물성을 소자 성능으로 전이하기 위해 Ti, Pt, Pd 등 다양한 금속 전극 증착 공정을 정립하고, 400-900도 ... 시간에 따른 문턱 전압 (Vth) 이동 및 암전류 복원 효율을 확인하고, XPS/PECCS/I-V-T 데이터의 상관관계 분석을 통해 '결함 생성-열적 복원'의 통합 물리 모델을 수립함.
1. 연구개발성과 활용계획:- 내방사선 소자 설계 가이드: 확보된 기초 데이터를 항공우주 및 국방 분야 핵심 부품의 Rad-Hard (내방사선) 설계 표준 및 DB로 활용함.- 극한 ... 환경(원전, 수소 스테이션 등)에서 오작동 없는 고신뢰성 수소 센싱 모듈 개발에 적용함.- 분석 플랫폼 확장: 구축된 PECCS/I-V-T 통합 분석법을 GaN, SiC 등 타 차세대 반도체의 신뢰성 ...