Polarization Dynamics of Radiation-Resilient vdW Ferroelectric Synaptic Transistors
개인기초연구(과기정통부)(R&D) · 우수연구-핵심연구(기본연구A)
2026년
2710114739
과학기술정보통신부
한국연구재단
성균관대학교산학협력단
이주원
5명
2026.09.01 ~ 2027.08.31
2026.09.01 ~ 2030.08.31
4,526만원
4,526만원
기초연구
대학
경기도 수원시
전기/전자 > 반도체 소자·회로 > 반도체 재료
본 연구의 최종목표는 vdW 강유전체 기반 시냅스 트랜지스터를 활용하여 방사선 환경에서의 소자 동작 메커니즘을 규명하고, 내방사선 지능형 반도체 설계 원리를 정립하는 데 있음. 이를 위해 방사선 조사에 따른 defect 생성, charge trapping, polarization dynamics 및 synaptic response 변화를 통합적으로 분석하고...
본 연구는 방사선 환경에서 vdW 강유전체 기반 시냅스 소자의 동작 변화를 실험적으로 규명하기 위한 단계적 연구를 수행하고자 함. 우선 MoS₂, h-BN, CIPS, α-In₂Se₃ 등을 이용한 vdW heterostructure를 제작하고, polarization switching, hysteresis, retention 등 기본 분극 특성과 synap...
... tolerance 및 synaptic 동작 특성은 우주·국방·의료 등 극한환경 전자소자 개발에 직접적으로 기여할 수 있음. 또한 polarization 기반 adaptive 동작 메커니즘은 기존 charge-storage 방식의 한계를 보완하는 새로운 소자 개념을 제시하며, 향후 뉴로모픽 반도체 및 지능형 시스템으로의 확장 가능성을 제공할 수 있을 것으로 기대함.