One-Transistor DRAM Cell with Non-Destructive Read Operation for Synaptic Device Application
개인기초연구(과기정통부)(R&D) · 우수연구-핵심연구(기본연구B)
2026년
2710113040
과학기술정보통신부
한국연구재단
명지대학교
김가람
2명
2026.09.01 ~ 2027.08.31
2026.09.01 ~ 2029.08.31
6,315만원
6,315만원
기초연구
대학
경기도 용인시
전기/전자 > 반도체 소자·회로 > Si 소자
1. PN junction gate 구조 1T DRAM 소자 (Case1)의 전기적 특성 확보 및 synaptic device 특성 검증2. IGZO barrier를 활용하여 제안된 소자 (Case2)의 전기적 특성 확보 및 synaptic device 특성 검증3. 제안된 소자를 기반으로 한 array 구조 및 동작 방법 검증4. 정량 목표- Gate l...
1. 제안된 Case1 소자 구현 (1차년도)- Non-destructive read 동작 검증 : 제안된 소자를 통한 DRAM chip의 동작 속도 및 소모 전력 개선과 neuromorphic chip의 synaptic device 활용을 위해서는 non-destructive한 read 동작 구현이 매우 중요함. 본 연구에서 제안한 소자는 storage...
... 면적 내에서 더 많은 데이터 저장이 가능.(2) 경제적, 산업적 기대효과- 메모리 반도체 산업 발전: 차세대 DRAM 기술을 선도하여 새로운 시장 창출 및 기술 리더십 강화.- AI 및 클라우드 산업 경쟁력 강화: AI 가속기 및 클라우드 서비스의 성능을 높여 글로벌 시장에서 경쟁력을 확보.(3) 사회적 기대효과- 환경 친화적 기술 구현: 전력 소비 감소를 통해 친환경 데이터센터 ...