Development of Gallium Oxide Power Semiconductor Devices and IC Technology for Quantum computing
개인기초연구(과기정통부)(R&D) · 우수연구-핵심연구(기본연구B)
2026년
2710114494
과학기술정보통신부
한국연구재단
국립부경대학교
우솔아
1명
2026.09.01 ~ 2027.08.31
2026.09.01 ~ 2031.08.31
6,252만원
6,252만원
개발연구
대학
부산광역시 남구
전기/전자 > 반도체 소자·회로 > 달리 분류되지 않는 반도체 소자·회로
본 연구과제는 극저온 전력 구동 환경에 적합한 산화갈륨 전력반도체 소자의 핵심 동작 메커니즘을 규명하고 응용하여, 새로운 소자 구조를 고안하고, 이를 발전시켜 SPICE 모델 개발, Gate driver IC 설계 및 최적화를 통해 '양자컴퓨팅을 위한 극저온 산화갈륨 전력반도체 소자 및 IC 기술'을 개발하고자 함.
*본 연구에서 제안하는 양자컴퓨팅용 극저온 산화갈륨 이종접합 전력반도체 소자의 개념 및 원리■ 본 연구에서 개발하고자 하는 '양자컴퓨팅용 극저온 산화갈륨 전력반도체 소자'는 산화갈륨의 우수한 재료적 특성을 기반으로 극저온 환경에서 성능을 안정적으로 유지할 수 있는 특성을 활용하여 높은 온도안정성과 동시에, 높은 항복전압과 낮은 온저항을 갖는 새로운 구조의 ...
... 초전도, 스핀 큐비트 기반 양자컴퓨터의 전력 구동, 바이어스 인가, 전원 분배 및 스위칭 구동 회로에 직접적으로 활용가능함. 연구 성과는 양자컴퓨팅 하드웨어 기업, 초전도, 저온 측정 시스템 기업, 극저온 전자회로 전문 기업과의 산학협력을 통한 기술이전이 가능하며, 향후 국내 양자컴퓨팅용 극저온 전력반도체 및 Cryogenic IC 산업의 상용화 기반 기술로 직접 활용될 수 있음. ...