Development of Thermal Management-Optimized III-Nitride HEMT Based on 3D Heterogeneous Integration for Power and RF Semiconductor for Space, Defense, and AI Power Systems
이공학학술연구기반구축(R&D) · 글로컬R&D지원
2026년
2340064698
교육부
한국연구재단
전북대학교산학협력단
박보인
4명
2026.09.01 ~ 2027.02.28
2026.09.01 ~ 2029.08.31
1억원
1억원
기초연구
대학
전북특별자치도 전주시
전기/전자 > 반도체 소자·회로 > 화합물소자
1. 과학기술 (전북대학교-MIT-UIUC 국제공동연구)가. Remote Epitaxy 공정 개발: 초고품질 GaN Freestanding membrane (wafer) 제조 기술 개발- Remote epitaxy 공정 개발: GaN freestanding membrane wafer 제조 (2-inch 수준) - Remote epitaxy을 위한 2D 템플...
... 기반 계면층(SiOx, Al2O3, AlN, SiN) 도입으로 접합 신뢰성과 열방산 특성을 향상시킨다. 최종적으로 열관리 최적화형 3D heterogeneous III-N HEMT 플랫폼을 구축한다.5. 국제협력을 통한 학문후속세대 인력양성1차년도에는 국제공동연구 기반 조성을 위해 박사후연구원(1명·5개월), 석사과정(1명·4주) 파견과 공동 워크숍 1회를 추진한다. 2차년도에는 ...
... 환경에서도 동작 가능한 고신뢰성 전력반도체 소자 기술 확보 가능- 이상의 연구결과는 AI 데이터센터, 우주·국방, 초고속 통신 등 다양한 응용 분야에 활용 가능한 차세대 전력반도체 공정 및 ... 기술 확보나. 경제적/산업적/사회적 기대효과- III-N 기반 고성능 전력반도체 소자 및 플랫폼 기술 확보를 통한 반도체 강국 지위 확보- CMOS + III-N 융합 기반 차세대 집적 시스템 ...