Development of Low-Power Non-Volatile Devices and Circuits Through Heterojunction of ZrO2 Ferroelectric and Oxide Semiconductor at Low-Temperature Process (〈400C)
개인기초연구(과기정통부)(R&D) · 우수연구-핵심연구(유형A)
2026년
2710113757
과학기술정보통신부
한국연구재단
고려대학교
신창환
6명
2026.09.01 ~ 2027.08.31
2025.09.01 ~ 2028.08.31
6,343만원
6,343만원
기초연구
대학
서울특별시 성북구
전기/전자 > 반도체 소자·회로 > Si 소자
- 저온 공정(<400℃) 조건에서 증착된 ZrO2 기반 반강유전체 박막을 활용하여, 산화물 반도체(IGZO, SnO 등)와의 계면 결합을 통해 강유전 특성 및 비휘발성 메모리 기능을 구현하는 비정형 구조 기반 소자 플랫폼을 개발함을 궁극적인 목표로 함- 이를 통해 기존 HfO2 기반 강유전체의 공정 호환성과 열적 제약을 극복하고, 후속적으로는 저전력 동작...
ㅁ 1차년도ㅇ ZrO2 기반 반강유전체 커패시터 소자 제작 및 특성 최적화- 보유 중인 ALD (Atomic Layer Deposition) 장비를 활용해 CMOS 공정과 호환 가능한 ZrO2 기반의 반강유전체 박막 증착 기술 확보(박막 두께: 10 nm 이하, 어닐링: [온도] 400℃ 이하 [시간] 30초 ~ 1분 [분위기] N2, 전극 : TiN, W...
... 메모리 플랫폼) 저온 공정 기반 ZrO2 반강유전체와 산화물 반도체(IGZO, SnO) 기반 n형/p형 FeTFT를 통해 다양한 비휘발성 메모리 소자 설계에 응용 가능함.- (초저전력 시스템 회로) 기존 SRAM/DRAM과 호환되며, Plate line을 활용해 저전압 구동 가능함.- (산업체 기술 이전 가능성) 400℃ 이하의 저온 공정을 기반으로 한 반강유전체 및 oxide ...