MetalSemiconductor Contact Physics and GaN BJT-Based Device Validation for All-Epitaxial Nitride Electronics
개인기초연구(과기정통부)(R&D) · 우수연구-핵심연구(기본연구A)
2026년
2710113963
과학기술정보통신부
한국연구재단
국립부경대학교
김동영
5명
2026.09.01 ~ 2027.08.31
2026.09.01 ~ 2029.08.31
4,421만원
4,421만원
기초연구
대학
부산광역시 남구
전기/전자 > 반도체 소자·회로 > 반도체 재료
... 에피택셜 금속-반도체 접촉의 형성 원리와 전기적 특성을 규명하고, 이를 GaN BJT 기반 능동소자에 적용하여 소자 수준의 유효성을 검증하는 것이다.이를 위해 GaN을 대표 질화물 반도체 플랫폼으로 설정하고, TiN, VN, NbN 등 금속성 전이금속 질화물 전극을 GaN 상에 에피택셜하게 형성하여 접촉 저항, 장벽 형성, 전하 수송, 일함수-장벽 높이 상관관계, 페르미 준위 고정 ...
본 연구는 소재 성정-에피택셜 접촉 특성 규명-GaN BJT 기반 소자 수준 검증으로 이어지는 단계적 연구 전략에 따라 수행된다. 현재 제안서에서도 1차년도는 금속성 질화물의 GaN 상 에피택셜 성장 조건 확보, 2차년도는 TMN/GaN 접촉 형성 메커니즘 규명, 3차년도는 수직형 GaN BJT 적용 및 소자 수준 유효성 검증으로 구성되어 있다.1차년도에는...
... 필요한 금속-반도체 접촉의 기초 설계 원리를 제시하고, 질화물 단일 재료계 기반 전자소자 플랫폼의 소자 수준 적용 가능성을 검증할 수 있을 것으로 기대된다.또한 본 연구에서 확보되는 GaN ... 에피택셜 성장 조건, 도메인 제어 방법론, 접촉 저항, 장벽 높이, 일함수, 전하 수송 메커니즘 데이터는 GaN 기반 전자소자의 전극 설계와 계면 제어를 위한 기초 자료로 활용될 수 있다. 특히 ...