Nucleation engineering of freestanding epitaxial structure using directly grown low-dimensional materials
개인기초연구(과기정통부)(R&D) · 우수연구-핵심연구(유형B)
2026년
2710113665
과학기술정보통신부
한국연구재단
세종대학교산학협력단
김성규
5명
2026.09.01 ~ 2027.08.31
2024.09.01 ~ 2027.08.31
2.1억원
2.1억원
기초연구
대학
서울특별시 광진구
재료 > 열/표면처리 > 박막제조기술
1. 최종목표핵생성 및 성장 제어를 통해 저차원 소재의 직접 성장 공정을 개발하여 결함 형성이 억제된 기판 독립적 에피택시 소재 형성 및 기판 재사용의 반복 공정을 통한 대면적화 기술 개발 2. 세부목표1) 버퍼 그래핀을 이용한 2차원 계면층 인위적 제어 및 반복성장 플랫폼 개발 2) 저차원 비정질 층의 직접 성장 공정개발 및 물성 (온도, 두께, 균일성,...
... 연구를 성공적으로 수행하기 위해서는 기존의 기판 독립적 소재를 형성하기 위한 2차원 소재의 전사 공정을 대체하는 새로운 저차원 소재의 형성 방법과 다양한 에피택시 소재에 적용이 가능한 시스템의 개발이 복합적으로 수행되어야 함. 또한, 최적의 조건 확보 및 메커니즘을 규명하기 위한 체계적인 분석이 유기적으로 연결되어야 하므로 기존 연구와의 차별성을 바탕으로 다음과 같은 연차별 목표 ...
... 예상되는 연구성과- 단결정 SiC 기판에 형성되는 버퍼 그래핀을 이용해 결함이 없는 2차원 버퍼 소재층의 확보- 2차원 버퍼층과 버퍼 그래핀을 이용한 III-nitride 소재의 동종 에피택시 시스템- 직접 성장이 가능한 저차원 비정질 소재 및 이를 활용한 결함이 억제된 기판 독립적 단결정 소재- 극성을 가지는 저차원 비정질 소재에서의 에피택시 공정 및 원천기술- 웨이퍼 단위에서의 ...