Monolithically Integrated 2D Complementary FETs for Future Ultra-Scaled Electronics
개인기초연구(과기정통부)(R&D) · 우수연구-세종과학펠로우십(복귀·유치트랙)
2026년
2710111689
과학기술정보통신부
한국연구재단
성균관대학교
ISLAM MD MOBAIDUL
1명
2026.09.01 ~ 2027.08.31
2026.09.01 ~ 2031.08.31
1.2억원
1.2억원
기초연구
대학
서울특별시 종로구
전기/전자 > 반도체 소자·회로 > 화합물소자
본 연구의 최종목표는 실리콘 기반 전계효과 트랜지스터의 미세화 한계를 극복하기 위해, BEOL 공정과 호환 가능한 2차원 반도체 기반 상보형 전계효과 트랜지스터(CFET)를 구현하고, 단일 공정 기반 3차원 집적(M3D) 로직 소자로서의 기술적 타당성을 검증하는 데 있다.
본 연구에서는 차세대 초미세 로직 소자 및 고집적 연산 시스템 구현을 목표로, 수직 적층 구조의 2차원 반도체 기반 상보형 전계효과 트랜지스터(CFET) 아키텍처를 제안하고 실험적으로 검증한다. 기존 실리콘 소자는 서브 나노미터 스케일에서 이동도 저하, 양자 터널링에 따른 누설전류 증가, 단채널 효과 심화 등으로 추가적인 집적 한계에 직면해 있으며, 고온의...
본 연구 성과는 실리콘 이후(Post-Si) 차세대 로직 반도체 및 고집적·저전력 인공지능 하드웨어 구현을 위한 핵심 소자 기술로 활용될 수 있으며, 국제 반도체 로드맵(IRDS)에서 제시한 CFET 기반 3차원 집적 기술 확보를 통해 국가 반도체 원천기술 경쟁력 강화에 기여할 것으로 기대된다.