Strain-Engineered Quantum Interactions in Halide Perovskite Semiconductors for Room-Temperature Spin-Opto Quantum Devices
이공학학술연구기반구축(R&D) · 기본연구B(포용형)
2026년
2340064161
교육부
한국연구재단
성균관대학교
정현준
1명
2026.09.01 ~ 2027.02.28
2026.09.01 ~ 2029.08.31
3,000만원
3,000만원
기초연구
대학
서울특별시 종로구
물리학 > 응집물질물리 > 반도체
본 연구의 최종 목표는 할로겐화물 페로브스카이트 박막의 미세 격자 변형(Lattice strain)을 제어하여 소재 내 '다중 자유도(전하·스핀·격자) 상호작용'을 규명하고, 이를 바탕으로 상온 구동이 가능한 차세대 스핀-광 양자 소자의 원천 기술을 확보한다.
본 연구는 할로겐화물 페로브스카이트 반도체의 열팽창 불일치와 미세 구조 변화에 의해 발생하는 잔류 변형 메커니즘을 심층 규명하고, 이를 바탕으로 양자 동역학 제어 및 차세대 스핀-광 소자를 구현하는 것을 최종 목표로 한다.1. 잔류 변형 메커니즘 규명 및 정밀 제어페로브스카이트는 Si, GaAs 등 무기 반도체 대비 약 10~20배 높은 열팽창계수를 가져 ...
... 선점한다.연구개발성과 기대효과과학기술 측면: 극저온 양자 현상을 상온으로 끌어올리는 패러다임 전환을 이룩하며, 페로브스카이트의 응용을 고성능 정보 소자로 획기적으로 확장한다.경제·산업 측면: ... 미래 반도체 시장에서 국가 경쟁력을 높인다.사회적 측면: 첨단 분광학과 양자 역학을 아우르는 융합 지식을 갖춘 차세대 반도체 핵심 연구 인력을 양성하여 디지털 사회 발전에 기여한다.