Development of 1 Kb SOT-MRAM MUX Array Process and Device Technologies Based on Novel Devices for AI Computing
차세대지능형반도체기술개발(소자)(R&D) · 신소자원천기술개발
2026년
2710108673
과학기술정보통신부
한국연구재단
연세대학교
홍종일
17명
2026.04.01 ~ 2026.12.31
2026.04.01 ~ 2028.12.31
9.1억원
9.1억원
개발연구
대학
서울특별시 서대문구
전기/전자 > 반도체 소자·회로 > 반도체 재료
본 연구는 기존 스핀 홀 효과(Spin Hall Effect) 기반 스핀-궤도 토크 자기저항 메모리(SOT-MRAM)의 고속 동작 속도와 높은 내구성을 발전시켜 산업계에서 요구하는 고성능 메모리의 기준을 충족하고자 한다. 이와 더불어 SOT-MRAM의 구조적 한계인 높은 비저항 및 이진 동작 방식을 극복하고, 오비탈 홀 효과(Orbital Hall Effe...
소재 개발 측면에서는 두 가지 방향을 병행한다. 첫째, Ti, Ru, 알파상 W를 후보 물질로 하는 오비탈 토크 소재를 개발하고, 오비탈-스핀 전환층과의 최적 조합을 탐색하여 고효율·고전도성 소재 구조를 확립한다. 인공초격자 및 계면 제어를 통해 인공적 오비탈 혼성을 유도하고, 제일원리계산과 해석적 모델링을 병행하여 순수 물질 대비 150% 수준의 오비탈 ...
... 첫째, 드론 및 자율주행 시스템에서 요구되는 환경 감지 기능의 전력 소모를 대폭 줄여 배터리 기반 이동형 시스템의 운용 시간을 획기적으로 연장할 것이다. 이는 스마트 모빌리티 및 지능형 사물인터넷 기기 등 전력 제한이 엄격한 엣지 응용 시장에서 강력한 산업 경쟁력을 창출할 것이다. 둘째, 확보된 설계 및 검증 기술을 바탕으로 국내 시스템 반도체 기업과 기술 이전 및 공동 연구를 추진하여 ...