Demonstration of a Low-Power 3D Vertical SOM Array via Precise Control of Chalcogenide Nanostructure Based on Integrated Optimization of ALD Equipment and Processes
공공연구성과사업화·창업지원 · 국가연구개발 우수연구성과 확산 촉진 지원
2026년
2710107570
과학기술정보통신부
과학기술사업화진흥원
한국과학기술원
최신현
6명
2026.04.01 ~ 2026.12.31
2026.04.01 ~ 2028.12.31
3.8억원
4.4억원
기초연구
대학
대전광역시 유성구
전기/전자 > 반도체 소자·회로 > 달리 분류되지 않는 반도체 소자·회로
본 연구의 최종 목표는 칼코게나이드 나노구조 기반의 신개념 SOM 구현 방식에 특화 ALD 장비 설계 기술을 접목해 장비?공정을 통합 개발함으로써, 저전력 3D 수직 적층 SOM 어레이를 구현·실증하고 고속·고집적 차세대 메모리 원천 기술을 확보하는 것임. 기존 SOM은 (1) 다성분 칼코게나이드 박막에 기인한 ALD 공정 비호환성, (2) BEOL 단계 ...
본 연구는 최근 고속, 고용량 메모리 후보로 주목받고 있으나, 공정적 및 전기적 특성 문제로 아직 구현에 어려움을 겪고 있는 3D SOM 어레이의 실현을 목표로 함. 칼코게나이드 박막을 사용하여 ALD 공정이 어렵고 3D 어레이 구현이 불가하던 기존 SOM과는 달리, ALD 공정이 용이한 단순 조성의 박막 사이에서 칼코게나이드 나노 구조를 형성하고 이를 통...
... AI 관점에서는, 저전압·초저누설 특성이 배터리 제약이 큰 환경에서 직접적인 이점을 지님. 본 과제는 동작전압 4 V 이하와 누설전류 1 nA 수준을 목표로 하며, 이는 모바일·자율주행·사물인터넷 기기에서 저전력 작업 메모리 또는 근접 메모리 응용으로의 확장 가능성을 높임. 소자 측면 뿐 아니라, 장비 및 공정 기술에서도 본 연구는 높은 활용성을 지님. 3D 수직 적층형 SOM 구현의 ...