Development of a Low-Inductance (15nH) Full SiC Power Semiconductor Module Based on Silver Sintering and Wire-Bondless Packaging for High-Speed Switching
창업성장기술개발(R&D) · 창업성장기술개발사업(TIPS)
2026년
2420034953
중소벤처기업부
중소기업기술정보진흥원
세미파워
강영도
4명
2026.10.01 ~ 2026.12.31
2026.10.01 ~ 2028.09.30
1.2억원
1.6억원
응용연구
중소기업
부산광역시 강서구
전기/전자 > 반도체 소자·회로 > 화합물소자
... 발생하는 기생 인덕턴스를 15nH 이하로 저감할 수 있는 은소결(Ag Sintering) 및 와이어본드리스(Wire-Bondless) 기반 Full SiC 전력반도체 모듈을 개발하여 차세대 전력변환 시스템에 적용 가능한 고신뢰성 전력모듈 기술을 확보하는 것이다.이를 위해 기존 솔더(Solder) 및 와이어본딩(Wire Bonding) 기반 패키징 기술이 갖는 고온 신뢰성, 방열 성능, 기생 ...
본 연구개발은 고속 스위칭을 위한 저인덕턴스 Full SiC 전력반도체 모듈 개발을 목표로 설계, 공정, 제작 및 신뢰성 검증까지 전 과정을 수행한다.1차년도에는 Full SiC 전력모듈 구조 설계 및 최적화를 수행한다. 1200V급 Full SiC 회로를 기반으로 저인덕턴스 전류 경로를 설계하고, 세라믹 클립을 적용한 Wire-Bondless 구조를 설계...
본 연구개발을 통해 은소결 및 Wire-Bondless 기반 Full SiC 전력반도체 모듈의 핵심 원천기술과 제품화 기술을 확보하고, 차세대 전력반도체 첨단 패키징 분야의 기술 경쟁력을 확보할 것으로 기대한다.기술적 성과로는 1200V급 Full SiC 전력반도체 모듈 설계기술, Ag Film 기반 One-Step 양면 은소결 접합기술, 세라믹 클립 기반...