Development of Copper Electroplating Materials and Technology to form Ultra-high aspect ratio vertical TSV for High Performance HBM
반도체첨단패키징선도기술개발사업(R&D) · 기술자립형첨단패키징기술개발
2026년
2410017043
산업통상부
한국산업기술기획평가원
호진플라텍
정운석
18명
2026.01.01 ~ 2026.12.31
2025.04.01 ~ 2027.12.31
10.8억원
14.6억원
개발연구
중소기업
경기도 안산시
재료 > 열/표면처리 > 도금기술
□ Wafer Level 초고종횡비 TSV 공정용 전해도금 첨가제 소재 개발 o 종횡비 20 수준의 미세 TSV의 결함없는 충진 소재 개발 (12인치 Wafer) ? 종횡비 20 수준의 차세대 미세 TSV를 결함 없는 충진을 위한 첨가제 디자인 기술 개발 : 종횡비 20 수준 (Hole Size 4um 이하) ? 충진 Mechanism 기반 첨가제 소...
... 종횡비 10-15 TSV에서의 무전해 Seed repairing 적용 및 최적화ㅇ 전해도금 첨가제 소재의 전기화학적 거동 분석ㅇ 분석 시스템 설계 및 훈련ㅇ TSV 보이드 불량 분석 데이터 제공ㅇ TSV 전해도금소재 평가를 위한 테스트 웨이퍼 패턴 평가 및 제작[3차년도 목표]ㅇ 12인치 Wafer 종횡비 20:1 이상의 TSV 충진 성능 검증ㅇ Void 및 Seam 결함 ...
... 전산모사 기반 공정 관리 시스템을 구축하여 기존 작업자의 경험 의존도를 줄일 수 있으며, 데이터 기반 공정 관리 시스템 을 통해 스마트팩토리 구축을 위한 빅데이터 확보가 용이함. ... TSV 평가 플랫폼을 통해 공정을 지원하며, 식각 조건 확보 및 Seed Metal 조건 등의 데이터 확보로 공정 플랫폼을 구축할수 있음. ㅇ 기술적 측면에서는 TSV 전해도금용 첨가제 소재의 ...