Core technologies of devices-algorithm-circuit-system solution for wide temperature compensation in 32 level 3D NAND
민관공동투자반도체고급인력양성 · 민관공동투자반도체고급인력양성(R&D)
2026년
2410017231
산업통상부
한국산업기술기획평가원
경북대학교산학협력단
장병철
8명
2026.01.01 ~ 2026.12.31
2025.04.01 ~ 2029.12.31
1.5억원
2.0억원
기초연구
대학
대구광역시 북구
전기/전자 > 반도체 소자·회로 > Si 소자
넓은 온도 범위에서 보상 가능한 32레벨 3D NAND 소자-알고리즘-설계-시스템 통합 솔루션 핵심 요소기술 개발 및 반도체 분야 석·박사급 고급 인력 양성
【1차년도 개발내용】ㅇ 단결정 Si CTF 소자를 제작하여 메모리 동작 온도 의존성 특성 추출 및 메커니즘 분석ㅇ 단결정 Si CTF 소자의 random telegraph noise 및 temporary 읽기 error 현상 분석ㅇ 3D 3단 적층형 폴 소자 제작 및 Lg/Ls 스케일링에 따른 신뢰성 분석ㅇ 단결정/단결정 Si CTF 소자 및 NAND Ch...
... 알고리즘 평가 emulation을 통해서 완성될 3D NAND 플래쉬 제품은 32레벨 이상의 시스템 레벨을 구현하여 더 높은 bit density를 실현하고, 자율주행차, 인공지능, 사물인터넷, 5G 등과 같은 대용량 데이터를 다루는 기술들이 온도 급변화에 의한 열악한 구동 환경에서도 안정적으로 동작할 수 있도록 활용될 것으로 기대됨.【연구개발성과의 기대효과】ㅇ 기술적 측면 - ...